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mos场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(metaloxidesemiconductor fieldeffect transistor, mosfet)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型mos场效应管可分为npn型pnp型。npn型通常称为n沟道型,pnp型也叫p沟道型。对于n沟道的场效应管其源极和漏极接在n型半导体上,同样对于p沟道的场效应管其源极和漏极则接在p型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。
在二极管加上正向电压(p端接正极,n端接负极)时,二极管导通,其pn结有电流通过。这是因为在p型半导体端为正电压时,n型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的p型半导体端,而p型半导体端内的正电子则朝n型半导体端运动,从而形成导通电流。
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的id,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制id”。更正确地说,id流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化

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