杭州士兰微代理商哪家好科翔微电子!在对称的mos管中,对source和drain的标注有一点任意性。定义上,载流子流出source,流入drain。因此source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色。这种情况下,电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。
source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称mos管。制造非对称晶体管有很多理由,但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain,另一个被优化作为source。如果drain和source对调,这个器件就不能正常工作了。
晶体管有n型channel所有它称为n-channel mos管,或nmos。p-channel mos(pmos)管也存在,是一个由轻掺杂的n型backgate和p型source和drain组成的pmos管。如果这个晶体管的gate相对于backgate正向偏置,电子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累,没有channel形成。如果gate相对于backgate反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了。因此pmos管的阈值电压是负值。由于nmos管的阈值电压是正的,pmos的阈值电压是负的,所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说,“pmos vt从0.6v上升到0.7v”, 实际上pmos的vt是从-0.6v下降到-0.7v。
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