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场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的id，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制id”。更正确地说，id流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在vgs=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加vds的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流id流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，id饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生id的饱和现象。其次，vgs向负的方向变化，让vgs=vgs(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且vds的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
广州mos管十大排名哪家技术一流！场效应晶体管（field effect transistor缩写(fet)）简称场效应管。主要有两种类型（junction fet—jfet)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor fet，简称mos-fet）。
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