静态半导体存储器sram R1RW0416DSB-2PR

  • 品牌:
  • 类型:存储器
  • 型号: R1RW0416DSB-2PR
  • 封装:TSOPII(44)
  • 提供加工定制:是
  • 处理器速度:具体参考规格书
  • 功率:具体参考规格书
  • 存储容量:4Mb
  • 批号:18+
  • 电源电流:具体参考规格书
  • 电源电压:具体参考规格书
  • 频率:具体参考规格书
  • 驱动芯片类型:具体参考规格书
  • 针脚数:48pin/44pin
  • 用途:照相机

 静态半导体存储器sram r1rw0416dsb-2pr
sram芯片主要用于二级高速缓存(level2 cache)。sram是用六个晶体管组成的,是利用晶体管来存储数据。sram芯片相相对于dram读取速度是相对比较快,但相同面积下sram的容量要比其他类型的内存小。
part number density organization(bit) access time(ns) supply voltage(v) operating temperature (°c) packagetype
r1rw0416dsb-2sr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-2pr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-2pi 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-2lr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-0pr 4mb x 16 10 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-0pi 4mb x 16 10 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c tsopii(44)
r1rw0416dge-2sr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c soj(44)
r1rw0416dge-2pr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c soj(44)
r1rw0416dge-2pi 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c soj(44)
r1rw0416dge-2lr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c soj(44)
r1rw0408dge-2pr 4mb x 8 12 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c soj(36)
r1rw0408dge-2pi 4mb x 8 12 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c soj(36)
r1rw0408dge-2lr 4mb x 8 12 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c soj(36)

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